今年のソニーモバイルのフラッグシップ、Xperia 1 VとXperia 5 V。
チップセット以外での両機種共通の前モデルからの進化点、と言えば何といってもメインカメラセンサーでしょう。
新型の、Exmor-T（IMX888）を搭載し、暗所撮影でのカメラ性能が大幅に向上したことは確かです。
一方、アップルの最新モデル、iPhone 15/15 Plusもセンサーサイズは小さめですが、このソニーの2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサーを採用。
これはXperia 1 V/5 Vに搭載のIMX888とよく似たセンサーでは？とも言われています。
しかし今回、同じ「2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー」でもこれら2つのセンサーの構造が大きく異なることが判明しました。
Xperia 1 VのIMX 888↓
iPhone 15の2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー↓
見た目がかなり違うことは分かりますが、正直、素人の私には具体的に何が違うのかはよく分かりません。
ただ、真ん中の細長い長方形の部分がフォトダイードであることは間違いなさそうで、iPhone 15のものはXperia 1 Vのものに比べて2倍近い太さがあることが分かります。
もし仮にこの部分がフォトダイードで、幅と奥行きがそれぞれ同じであれば、両者のフォトダイードのサイズには大きな差がある、ということになります。
ソニーはこの2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術を紹介する公式動画の中でもダイナミックレンジでの画質は「フォトダイオードが蓄積する光の量で決まる」としています。
そして、この2層トランジスタ画素積層型センサーは従来構造に比べて2倍の飽和信号量を確保できるようになったことを売りにしています。
センサーサイズ自体がXperia 1 V搭載のIMX888の方がiPhone 15のものより大きめなので一概には言えませんが、これ、どうなんでしょう。
理論的にはより大きなフォトダイオードを搭載したiPhone 15のカメラセンサーの方がダイナミックレンジでの撮影には強い、ということになるのでしょうか。
そなたか詳しい方がいましたら、訂正・補足などをしていただけると幸いです。
ソース: TechInsight via Twitter
